小川温泉は、富山県下新川郡朝日町にございます温泉となっております。小川温泉には、とても立派な洞窟風呂もあります。泉質は、塩化物泉となっていて、無色透明無味無臭です。ツルツルとした感触が魅力的なお湯です。源泉の温度は約68度で、ちょっと高い気はしますが、浴用にはちょうど良い温度になる感じです。今では、子宝の湯としても人気になっているようです。宿泊施設については、私が知る限りでは、1軒存在しております。「小川温泉」は、富山県下新川郡朝日町の山間部にあります。お隣の入善町との境を流れる小川に沿って、山道を行くと、「ホテル小川」があり、そこで温泉に入ることができます。ホテルの施設は比較的新しく、海の幸山の幸をふんだんに味わえます。湯治施設「不老館」があり、湯治に訪れる年配の方が多いですが、ここの温泉の湯を飲むと子宝に恵まれる、という話もあるため、なかなか子宝に恵まれないご夫婦での宿泊客の姿もよく見られます。
エプソンダイレクト株式会社は、ネットブック新モデル「Endeavor Na04mini」の受注を4月26日より開始する。基本構成の価格は37,800円。
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CPUをデュアルコアに強化し、新デザインとアイソレーションタイプのキーボードを採用。バッテリは標準で6セル搭載になり、駆動時間が約6.1時間になった。カスタマイズとして、64GBのSSDを選択できる。
基本構成は、Atom N550(1.50GHz、ビデオ機能内蔵)、メモリ1GB、HDD 250GB、Intel NM10 Expressチップセット、1,024×600ドット(WSVGA)表示対応10.1型ワイド液晶(光沢)、Windows 7 Starterを搭載。
インターフェイスはUSB 2.0×3、Ethernet、IEEE 802.11b/g/n無線LAN、ミニD-Sub15ピン、SDXCカード/メモリースティック対応スロット、音声入出力などを備える。
本体サイズは266×185×25〜34mm(幅×奥行き×高さ)、重量は約1.1kg。
【PC Watch,山田 幸治】
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Oracle は18日、同社のインメモリ データベース製品『Oracle Coherence』をアップデートし、拡張性をさらに強化した。
最新版の『Oracle Coherence 3.7』では、企業向けに、メモリと半導体ドライブ (SSD) のパフォーマンスを最大化する新機能『Elastic Data』が加えられている。
Oracle の開発担当バイスプレジデント Cameron Purdy 氏は、取材に対し次のように述べた。「Coherence 3.7 の新版には約500の改良点を盛り込んでおり、非常に大がかりなリリースだ。なかでも目玉は当社が Elastic Data と呼ぶ機能で、長年にわたる開発の集大成となっている」
Purdy 氏によると、Oracle Coherence を使う顧客はさまざまなタイプの情報を大量に管理しており、タイプごとに決まった情報を扱っていたという。これまでは各タイプに対し、どの程度の量のメモリが必要かをキャッシュベースで定義する必要があった。
Elastic Data により、サーバーを起動すると、指定した量のメモリを割り当てられるようになった。その範囲内で対応できないものは、すべてフラッシュ ストレージに送られる。
「これはフラッシュメモリからなる SSD ストレージを活用し、クラスタ全体およびメモリとフラッシュ間の情報を透明性のある形で管理する仕組みだ」と、Purdy 氏は説明する。「当社は、この実装の基盤として『Java New I/O』(Java NIO) を採用しており、ディスク性能が許す最高速度で書き込みを行なえる」
Purdy 氏によると、Oracle 自身のベンチマーク テストでは、このようにフラッシュ ストレージをメモリと組み合わせて使用しても、メモリのみの時と比較したパフォーマンスの差は実質的にはないという。
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CCCは、TポイントとTカードの総合サイト「T-SITE」をリニューアルし、会員が趣味・嗜好に関わる情報を発信しながら、T会員同士多くの仲間とつながり合えるソーシャル・リコメンドプラットフォームとしてオープンした。
「T-SITE」では、「マイ棚」に、自分のお気に入りの作品や気になる作品を棚にコレクションしたり、自分の好きなテーマの棚を作ることができる。また、「Tアフィリエイト」では、マイ棚へ登録した作品やレビューなどのリコメンド情報を経由して他の会員が買い物をした場合、TアフィリエイトとしてTポイントを獲得する。このほか、ツイッターのアカウントと連携することで、ツイッター上のフォロー関係をT-SITE内に持ち込むことができる。
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Intel と Micron Technology の合弁会社 IM Flash Technologies は先ごろ、従来よりも細密化した新しい製造プロセスを用いる NAND 型フラッシュメモリのサンプル出荷開始を発表した。携帯電話やタブレット端末などのモバイル製品用ストレージや、企業のストレージ環境で用いる半導体ドライブ (SSD) といった用途がある。
新製造プロセスによって、さらなる高密度実装が可能となり、現行の技術と比較して基板の占有率が30%から40%改善する。
今回発表したフラッシュメモリは、20ナノメートル (nm) 製造プロセスを採用した初の製品だ。現行品は25ナノメートル製造プロセスを用いており、目ざましい改良といえる。特に基板の省スペース化という点で、大いに意義がある。
Intel と Micron は共同声明のなかで、次のように述べている。「新たな20ナノメートルのプロセスで製造した8GB のマルチレベルセル (MLC) NAND 型フラッシュメモリにより、スマートフォンやタブレット端末、SSD などのコンピューティング ソリューションで、音楽、動画、書籍などのデータを保存するストレージとして、大容量かつ小型フォームファクタの選択肢が実現する」
両社は20ナノメートル プロセスの8GB メモリについて、すでにサンプル出荷を開始した。また、今年後半に量産を開始する見通しという。
同じく2011年後半には、新プロセスをを用いた16GB の NAND 型フラッシュメモリについても、サンプル出荷を開始する計画だ。同製品により、切手大の面積があれば、単体で最大128GB の容量を持つ製品開発が可能になる。なるほど。留学を目いっぱい
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富山県の小川温泉にいこう
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